탄화 규소 특성

탄화 규소 특성

탄화 규소라고도 불리는 탄화 규소 재료는 세라믹 볼 베어링, 밸브, 반도체 재료, 자이로, 측정 장치, 항공 우주 및 기타 분야에서 널리 사용되며 많은 산업 분야에서 대체 할 수없는 재료가되었습니다.

탄화 규소는 자연 초 격자이며 전형적인 균질 다 형체입니다. Si 및 C 이원자 층 적층 순서 사이의 차이는 상이한 결정 구조를 초래하기 때문에, 200 개 (현재 공지 된) 균질 한 다형이 존재한다. 따라서 SiC는 차세대 고전력 전자 재료 인 LED 기판 재료로 사용하기에 매우 적합합니다.

물리적 성질

고경도 -3000kg / mm2, 루비 절단 가능

다이아몬드 바로 뒤에 높은 내마모성

열전도도는 Sic의 3 배, GaAs의 8-10 배입니다.

SIC의 열 안정성은 높은면에 있으며 대기압에서 녹을 수 없습니다.

우수한 방열 성능, 고출력 장치에 매우 중요

내 부식성이 뛰어나며 실온에서 알려진 모든 부식제에 저항 할 수 있습니다.

Sic의 표면은 산화가 쉬워 SIO2의 얇은 층을 형성하여 추가 산화를 방지합니다.

온도가 1700 도보 다 높으면 산화막이 빠르게 녹고 산화됩니다.

4-sic 및 6h sic의 밴드 갭은 Si의 약 3 배, GaAs의 2 배이며, 항복 전계 강도는 Si보다 몇 배 높으며, 포화 전자 드리프트 속도는 Si의 2.5 배입니다. 4H SiC의 갭은 6h SiC보다 넓다.